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(19)国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202210511292.X (22)申请日 2022.05.11 (30)优先权数据 111117036 2022.05.05 TW 63/188,478 2021.0 5.14 US 63/302,974 202 2.01.25 US (71)申请人 日扬科技股份有限公司 地址 中国台湾台南市安 南区工明南 二路 106号 申请人 明远精密科技股份有限公司 (72)发明人 寇崇善 叶文勇  (74)专利代理 机构 北京思格 颂知识产权代理有 限公司 1 1635 专利代理师 潘珺(51)Int.Cl. B23K 26/06(2014.01) B23K 26/70(2014.01) H01L 21/268(2006.01) (54)发明名称 非接触式加工装置及加工方法 (57)摘要 本发明涉及一种非接触式加工装置及加工 方法用以对一固体结构进行一加工程序。 本发明 之非接触式加工装置系以一电磁辐射源提供能 量予上述之固体结构, 借以使得固体结构产生质 变或缺陷, 亦即形成改质层。 本发明再 以一分离 能量源非接触式施加一分离能量于具有改质层 之固体结构上, 借由改质层之应力、 结构强度、 晶 格型态或硬度不同于其他非加工区, 可快速地从 改质层处分离或薄化固体结构。 权利要求书3页 说明书13页 附图12页 CN 115415665 A 2022.12.02 CN 115415665 A 1.一种非接触式加工装置, 用以对至少一固体结构进行一加工程序, 其特征在于, 所述 装置至少包含: 一改质能量源, 用以在该加工程序之一改质步骤中提供一改质能量予该固体结构之一 加工目标区, 使得该固体结构之该加工目标区产生质变或缺陷, 进而 形成一改质层, 其中该 改质能量源为 一雷射源, 该改质能量 为一雷射能量; 以及 一分离能量源, 用以在该加工程序之一分离步骤中非接触式施加一分离能量于具有该 改质层之该固体结构上, 借以从该改质层处分离或薄化该固体结构, 使得该固体结构成为 一分离或薄化后固体结构。 2.如权利要求1所述的非接触式加工装置, 其特征在于, 其中该分离能量源包含一微波 或射频源, 用以提供一 微波或射频能量作为该分离能量。 3.如权利要求1所述的非接触式加工装置, 其特征在于, 其中该分离能量源包含一放电 加工单元, 用以经由至少一 放电电极提供一 放电能量作为该分离能量。 4.如权利要求1所述的非接触式加工装置, 其特征在于, 其中该分离能量源包含一微波 或射频源及一放电加工单元, 用以分别提供一微波或射频能量及一放电能量作为该分离能 量。 5.如权利 要求1、 2、 3或4所述的非接触 式加工装置, 其特征在于, 还包含一电场源, 该电 场源系提供一电场辅助该分离能量源之该分离能量从该改质层处分离或薄化该固体结构, 使得该固体结构成为该分离或薄化后固体结构。 6.如权利要求1所述的非接触式加工装置, 其特征在于, 还包含一磨抛单元, 用以在该 加工程序之一磨抛步骤中磨抛 该分离或薄化后固体结构。 7.如权利要求6所述的非接触式加工装置, 其特征在于, 其中该磨抛单元系该雷射源、 一放电加工单元、 一微波或射频源和/或另一微波或射频源, 借以分别提供该雷射能量、 一 放电能量、 一微波或射频能量和/或另一微波或射频能量磨抛该分离或薄化后固体结构, 其 中该分离能量源 包含该放电加工单 元和/或该微波或射频源。 8.如权利要求7所述的非接触式加工装置, 其特征在于, 其中该另一微波或射频源系经 由该放电加工单 元之至少一 放电电极提供 该另一微波或射频能量。 9.如权利要求1所述的非接触式加工装置, 其特征在于, 还包含一热源, 用以在该加工 程序之该改质步骤、 该分离步骤和/或一加热步骤中加热 该固体结构。 10.如权利要求9所述的非接触式加工装置, 其特征在于, 其中该热源为该雷射源、 一微 波或射频源、 一热油槽、 一另一雷射源、 一另一微波或射频源和/或一红外光源, 该分离能量 源包含一放电加工单 元和/或该微波或射频源。 11.如权利要求1所述的非接触式加工装置, 其特征在于, 其中该固体结构还接触一热 膨胀物质, 该热膨胀 物质系渗入该改质层中, 且使得该热膨胀 物质膨胀体积, 借以在该加工 程序之该分离步骤中从该改质层处分离或薄化该固体结构。 12.如权利要求1所述的非接触式加工装置, 其特征在于, 其中该分离或薄化后固体结 构之该加工目标区上系具有一填补材料, 借以填补该分离或薄化后固体结构之该加工目标 区上之表面裂缝。 13.如权利要求1所述的非接触式加工装置, 其特征在于, 还包含一外力扰动源, 该外力 扰动源系驱使一 填补材料填补该分离或薄化后固体结构之表面裂缝。权 利 要 求 书 1/3 页 2 CN 115415665 A 214.如权利要求12所述的非接触式加工装置, 其特征在于, 其中该填补材料系借由一热 源而形成于该分离或薄化后固体结构之该加工目标区上, 借以填补该分离或薄化后固体结 构之该加工目标区上之表面裂缝。 15.如权利要求1、 8或13所述的非接触式加工装置, 其特征在于, 其中该固体结构系浸 泡于一加热 液体中。 16.如权利要求1所述的非接触式加工装置, 其特征在于, 其中该分离能量源施加该分 离能量予该固体结构之方向系不同于该 雷射源提供 该雷射能量予该固体结构之方向。 17.如权利要求1所述的非接触式加工装置, 其特征在于, 其中该分离能量源施加该分 离能量予该固体结构之方向系相同于该 雷射源提供 该雷射能量予该固体结构之方向。 18.如权利要求1所述的非接触式加工装置, 其特征在于, 其中该非接触式加工装置系 于一流体中对该固体结构之该加工目标区进行 该加工程序。 19.如权利要求1所述的非接触式加工装置, 其特征在于, 其中该非接触式加工装置系 于一真空环境中对该固体结构之该加工目标区进行 该加工程序。 20.如权利要求3所述的非接触式加工装置, 其特征在于, 其中该放电加工单元之该放 电电极之数量 为一或复数个。 21.如权利要求1所述的非接触式加工装置, 其特征在于, 其中该固体结构之数量为一 或复数个。 22.一种非接触式加工方法, 用以对至少一固体结构进行一加工程序, 其特征在于, 包 含下列步骤: 进行该加工程序之一改质步骤, 该改质步骤系以一改质能量源提供一改质能量予该固 体结构之一加工目标区, 使得该固体结构之该加工目标区产生质变或缺陷, 进而形成一改 质层, 其中该改质能量源系一雷射源, 该改质能量系一雷射能量; 以及 进行该加工程序之一分离步骤, 该分离步骤系以一分离能量源非接触式施加一分离能 量于具有该改质层之该固体结构上, 借以从该改质层处分离或薄化该固体结构, 使得该固 体结构成为 一分离或薄化后固体结构。 23.如权利要求22所述的非接触式加工方法, 其特征在于, 其中该分离能量源包含提供 一微波或射频能量之一微波或射频源以和/或者提供一放电能量之一放电加工单元, 用以 施加该分离能量于具有该改质层之该固体结构上。 24.如权利要求22所述的非接触式加工方法, 其特征在于, 其中该改质层 之一第一区域 具有一分离起点, 且该分离步骤系以该分离能量从该改质层之该分离起点处分离或薄化该 固体结构。 25.如权利要求22所述的非接触式加工方法, 其特征在于, 其中在该分离步骤中, 还包 含施加一电场于该固体结构上, 借以辅助该分离能量源从该改质层处分离或薄化该固体结 构。 26.如权利要求22所述的非接触式加工方法, 其特征在于, 其中在该分离步骤中, 还包 含使得一热膨胀 物质渗入该固体结构之该改质层中并且膨胀该热膨胀 物质之体积, 借以辅 助该分离能量源从该改质层处分离或薄化该固体结构。 27.如权利要求22所述的非接触式加工方法, 其特征在于, 其中在进行该分离步骤之 后, 还包含进行该加工程序之一磨抛步骤, 借以利用一磨抛单元磨抛该分离或薄化后固体权 利 要 求 书 2/3 页 3 CN 115415665 A 3

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