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(19)国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202210700460.X (22)申请日 2022.06.20 (71)申请人 北京京东方技 术开发有限公司 地址 100176 北京市大兴区北京经济技 术 开发区地 泽路9号1幢407室 申请人 京东方科技 集团股份有限公司 (72)发明人 张渊明 郭晖  (74)专利代理 机构 北京银龙知识产权代理有限 公司 11243 专利代理师 曹娜 (51)Int.Cl. H01L 51/52(2006.01) H01L 51/56(2006.01) H01L 27/32(2006.01) B23K 26/70(2014.01)B23K 26/362(2014.01) (54)发明名称 显示基板及其制备方法、 显示装置 (57)摘要 本发明涉及一种显示基板及其制备方法、 显 示装置。 所述显示基板包括基底以及形成在所述 基底上的挡墙; 所述挡墙在所述基底上分隔出多 个子像素区域; 所述挡墙的朝向子像素区域的侧 边的与所述基底的相接处被配置为具有经激光 刻蚀处理后获得的第一坡度, 所述第一坡度大于 设定值。 上述显示基板, 其挡墙的朝向子像素区 域的侧边具有经过激光刻蚀处理获得的第一坡 度, 一方面, 可以减小挡墙的向子像素区域延伸 的距离, 增大开口区的面积, 从而能够提高显示 基板的开口率。 另 一方面, 在挡墙的与基底的相 接处具有更大的坡度的情况下, 喷墨打印在子像 素区域的液滴不易产生攀爬 现象, 从而有助于提 高成膜均匀性, 增强显示品质。 权利要求书2页 说明书7页 附图1页 CN 115101692 A 2022.09.23 CN 115101692 A 1.一种显示基板, 其特征在于, 所述显示基板包括基底以及形成在所述基底上的挡墙; 所述挡墙在所述基底上分隔出多个子像素区域; 所述挡墙的朝向子像素区域的侧边的与所述基底的相接处被配置为具有经激光刻蚀 处理后获得的第一坡度, 所述第一坡度大于设定值。 2.根据权利要求1所述的显示基板, 其特征在于, 所述第一坡度的范围在60~90度之 间。 3.根据权利要求1所述的显示基板, 其特征在于, 所述挡墙包括亲水层、 疏水层和覆盖 层; 所述疏水层形成在所述亲水层的上方, 所述覆盖层覆盖在所述亲水层和疏水层的上 方。 4.根据权利要求3所述的显示基板, 其特征在于, 所述挡墙还包括导热层, 所述亲水层、 疏水层和覆盖层环套在所述导热层的外侧, 且 所述导热层自所述亲水层的底端延伸至所述 覆盖层的上端。 5.根据权利要求4所述的显示基板, 其特征在于, 所述挡墙还包括相变储能层, 所述相 变储能层为相变材料; 所述相变储能层形成在所述覆盖层和导热层的上方, 且与所述导热 层相接。 6.根据权利要求5所述的显示基板, 其特征在于, 所述相变储能层的材质为有机相变材 料和无机相变材 料的混合物。 7.根据权利要求6所述的显示基板, 其特征在于, 所述相变储能层中的有机相变材料为 石蜡或醋酸; 所述相变储能层中的无机相变材 料为金属、 金属合金、 结晶水合盐或熔融盐。 8.一种显示基板的制备 方法, 其特 征在于, 所述显示基板的制备 方法包括: 在基底上 形成挡墙结构; 对所形成的挡墙结构的与基底相接处进行激光刻 蚀, 以使所述挡墙结构的与基底之间 的坡度为大于设定值的第一坡度。 9.根据权利要求8所述的显示基板的制备方法, 其特征在于, 在基底上形成挡墙结构的 步骤包括: 在基底上 形成亲水材料层; 在亲水材料的上方形成疏水材料层; 对基底上所形成的亲水材料层、 疏水材料层进行曝光、 显影和刻 蚀, 以形成亲水层和疏 水层的图形; 在亲水材料层和形成疏 水材料层的上 方形成覆盖层的材 料; 对覆盖层的材 料进行曝光、 显影和刻蚀, 以形成覆盖层的图形。 10.根据权利要求9所述的显示基板的制备方法, 其特征在于, 在基底上形成挡墙结构 的步骤还包括: 在基底上 形成导热 材料层; 对基底上 所形成的导热 材料层进行曝光、 显影和刻蚀, 以形成导热层的图形; 形成导热 材料层和形成导热层的图形的步骤在形成所述亲 水材料层的步骤前进行。 11.根据权利要求10所述的显示基板的制备方法, 其特征在于, 所述显示基板的制备方权 利 要 求 书 1/2 页 2 CN 115101692 A 2法包括: 在覆盖层和导热层的上 方形成相变储能材 料层; 对所形成的相变储能材料层进行曝光、 显影和刻蚀, 以形成相变储能层的图形, 所形成 的相变储能层与所述 导热层的上端相接 。 12.一种显示装置, 其特征在于, 所述显示装置包括权利要求1~7中任意一项所述的显 示基板。权 利 要 求 书 2/2 页 3 CN 115101692 A 3

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