(19)国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告 号 (45)授权公告日 (21)申请 号 202123420213.4 (22)申请日 2021.12.31 (73)专利权人 宁波麦度智联科技股份有限公司 地址 315000 浙江省宁波市高新区 聚贤路 587弄15号3#楼5-1 (72)发明人 董晓倩　徐修山　舒红玲　刘军生　 (74)专利代理 机构 杭州斯可 睿专利事务所有限 公司 33241 专利代理师 林天哲 (51)Int.Cl. H02J 7/00(2006.01) (54)实用新型名称 用于终端设备的 晶体管充电 电路 (57)摘要 本实用新型涉及一种用于终端设备的晶体 管充电电路， 将PNP三极管Q1的基极与NMOS管Q2 的漏极之间电连接， 同时将NMOS管Q2的源极与控 制芯片U1的VDRIV E信号引脚连接， 组成的电流控 制回路根据NMOS管Q2 的导通情况控制充电电路 内的电流， 从而将充电电路内的充电电流和电压 稳定在一个合适区间， 通过电流控制回路内设置 的电阻R3与电阻R2保护NMOS管Q2与控制芯片U1 的VDRIVE引脚， 这种结构通过PNP三极管Q1的集 电极与电池B1之间设置的电阻R4， 当充电电流经 过电阻R4时， 产生的电压降落， 检测充电电路内 的充电电流大小， 同时密切监测充电电路内的充 电电流和电压， 能够在循环充电的过程中， 将充 电电流和电压稳定在一个合 适区间。 权利要求书1页 说明书4页 附图3页 CN 216720974 U 2022.06.10 CN 216720974 U 1.一种用于终端设备的晶体管充电电路， 主要在于充电电路， 充电电路包括VCHG接口、 电池B1、 PNP三极管Q1、 NMOS管Q2与控制芯片U1， 其特征在于所述的充电电路中VCHG接口与 PNP三极管Q1的发射极相连接， 作为充电电路的输入端， PNP三极管Q1的基极与NMOS管Q2的 漏极相连接， NM OS管Q2的栅极作为充电电路的控制端， 并与PNP三极管Q 1的发射极之间串 联 有电阻R1， NMOS管Q2的源极与控制芯片U1中设有的VDRIVE信 号引脚相连接， NMOS管Q2的栅 极与控制芯片U1 中设有的VCHG_D信号引脚相连接， PNP三极管Q1的集电极连接有电阻R4， 作 为充电电路的输出端， 且电阻R4与电池B1的正极相连接， 电池B1的负极与控制芯片U1中设 有的GND信号引脚相连接 。 2.根据权利要求1所述的用于终端设备的晶体管充电电路， 其特征在于所述的充电电 路中VCHG接口与控制芯片U1 中设有的VCHG_D信号引脚相连接， VCHG接口与VCHG_D信号引脚 的接线中设有电阻R1， 且NMOS管Q2的栅极与VCHG_D信 号引脚的接线中设有电阻R2， 电阻R1 与电阻R2配合构成充电 电路的分压网络 。 3.根据权利要求2所述的用于终端设备的晶体管充电电路， 其特征在于所述的PNP三极 管Q1的基极与NMOS管Q2的漏极接线中部设有电阻R3构成保护电路。 4.根据权利要求1或2或3所述的用于终端设备的晶体管充电电路， 其特征在于所述的 电阻R4两端分别与控制芯片U1中设有的VBAT信号引脚与ISENSE信号引脚连接构成充电电 流检测电路。 5.根据权利要求4所述的用于终端设备的晶体管充电电路， 其特征在于所述的 电池B1 负极与GND信号引脚的接线中部设有电阻R5， 电阻R5的两端分别与控制芯片U1中设有的 SENSEP信号引脚与SENSEN信号引脚连接,且SENSEP信号引脚与SENSEN信号引脚与充电电路 的接线中分别设有电阻R6与电阻R7。 6.根据权利要求5所述的用于终端设备的晶体管充电电路， 其特征在于所述的 电阻R1 ＝100欧姆、 电阻R2＝10*1000欧姆、 电阻R3＝200欧姆、 电阻R4＝0.068欧姆、 电阻R5＝0.02 欧姆、 电阻R6＝电阻R7＝10 00欧姆。权　利　要　求　书 1/1 页 2 CN 216720974 U 2用于终端设 备的晶体 管充电电路 技术领域 [0001]本实用新型 涉及充电 电路技术领域， 具体涉及用于终端设备的 晶体管充电 电路。 背景技术 [0002]在现有技术中由于智能电源管理和高集成度方面不断创新， 目前电子产品逐渐微 型化、 功能性逐渐增强， 使用时间延长， 电子产品的小型化同时也限制了产品内的电池容 量， 如若充电电流过小时， 产品的充电时间延 长， 增加的充电时间容易影响使用者对产品的 体验感， 当使用芯片进 行开关充电时， 过大的充电电流会影响电池寿命， 同时过大的充电电 流伴随有潜在的安全隐患。 发明内容 [0003]为了解决上述问题， 本实用新型提供了一种能够密切监测充电电流和电压， 同时 能够在循环充电的过程中， 将充电电流和电压稳定在一个合适区间用于终端设备的晶体管 充电电路。 [0004]为了到达上述目的， 本实用新型设计的用于终端设备的晶体管充电电路， 主要在 于充电电路， 充电电路包括VCHG接口、 电池B1、 PNP三极管Q1、 NMOS管Q2与控制芯片U1， 所述 的充电电路中VCHG接口与PNP三极管Q1的发射极相连接， 作为充电电路的输入端， PNP三极 管Q1的基极与NMOS管Q2的漏极相连接， NMOS管Q2的栅极作为充电电路的控制端， 并与PNP三 极管Q1的发射极之间串 联有电阻R1， NMOS管Q2的源极与控制芯片U1中设有的VDRIVE信号引 脚相连接， NMOS管Q2的栅极与控制芯片U1 中设有的VCHG_D信号引脚相连接， PNP三极管Q1的 集电极连接有电阻R4， 作为充电电路的输出端， 且电阻R4与电池B1的正极相连接， 电池B1的 负极与控制芯片U1中设有的GND信号引脚相连接。 这种结构将NMOS管Q2的工作区设置在可 变电阻区， PNP三极管Q1的工作区设置在放大区， 当VCHG接口电压保持不变时， 可以通过 NMOS管Q2控制PNP三极管Q1发射极电流， 且PNP三极管Q1集电极的电流通过PNP三极管Q1发 射极电流控制， 从而通过NMOS管Q2的导通情况控制充电电路内的电流， 同时通过控制芯片 U1中VDRIVE电压值控制NMOS管Q2的导通程度， 进而将充电电路内的充电电流和电压稳定在 一个合适区间， 且根据电池B1的电压值与充电电路内的充电电流， 可以将充电电路分为预 充电、 恒流充、 恒压充和涓流充 多种充电模式。 [0005]进一步的方案是， 所述的充电电路 中VCHG接口与控制芯片U1中设有的VCHG_D信号 引脚相连接， VCHG接口与VCHG_D信号引脚的接线中设有电阻R1， 且NMOS管Q2的栅极与V CHG_ D信号引脚的接线中设有电阻R2， 电阻R1与电阻R2配合构成充电电路的分压网络。 这种结构 通过电阻R1与电阻R2将VCHG接口处的电压值分压， 用于检测充电器是否插入， 且电阻R2的 设置同时保护了NMOS管Q2的栅极， 防止浪涌大电流击穿 Q2栅极。 [0006]更进一步的方案是， 所述的PNP三极管Q1的基极与NMOS管Q2的漏极接线中部设有 电阻R3构成保护电路。 这种结构通过电阻R3的设置保护NMOS管Q2与控制芯片U1的VDRIVE引 脚， 电阻R3的设置同时能够衰减VCHG端传导到NMOS管Q2的浪涌电流， 从而保护 NMOS管Q2与说　明　书 1/4 页 3 CN 216720974 U 3