(19)国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202210470042.6 (22)申请日 2022.04.28 (71)申请人 香港中文大 学 （深圳） 地址 518115 广东省深圳市龙岗区龙翔大 道2001号 (72)发明人 周艳　赵月雷　张恺　杨晟　武凯　 褚智勤　 (74)专利代理 机构 北京德崇智捷知识产权代理 有限公司 1 1467 专利代理师 王欣 (51)Int.Cl. G01N 21/21(2006.01) G01N 21/01(2006.01) G01R 33/032(2006.01) G01R 33/12(2006.01) (54)发明名称 一种磁光克尔显微镜及获取磁畴壁图像的 方法 (57)摘要 本发明涉及一种磁光克尔测量装置及获取 磁畴壁图像的方法， 磁光克尔测量装置包括： 磁 光克尔显微镜， 所述磁光克尔显微镜包括目镜、 CMOS相机； 事件相机， 所述事件相机包括底层芯 片， 所述事件相机设于所述磁光克尔显微镜的目 镜上， 并且所述事件相机与所述CMOS相机共焦 平 面。 该方法是利用磁光克尔测量装置中的事件相 机获取磁畴壁图像。 本发明可以提高对此磁性材 料的快速检测， 具有高分辨率， 操作 简便， 对磁性 材料的研究和发展具有重要意 义。 权利要求书2页 说明书5页 附图3页 CN 114965292 A 2022.08.30 CN 114965292 A 1.一种磁光克尔测量装置， 其特 征在于， 包括： 磁光克尔显微镜， 所述磁光克尔显微镜包括目镜、 C MOS相机； 事件相机， 所述事件相机包括底层芯片， 所述事件相机设于所述磁光克尔显微镜的目 镜上， 并且所述事 件相机与所述C MOS相机共焦平面。 2.根据权利要求1所述的磁光克尔测量装置， 其特 征在于， 所述目镜数量 为1个。 3.根据权利要求1所述的磁畴成像测量装置， 其特征在于， 包括磁光克尔成像光路， 所 述磁光克尔成像光路包括入射光路和成像光路， 所述成像光路的反射光在所述共焦平面处 形成磁畴壁图像。 4.根据权利要求3所述的磁畴成像测量装置， 所述入射光路用于提供线偏振光， 所述成 像光路用于收集被 磁性材料反射的光， 所述反射 光的偏振信息进行检偏处 理后形成图像。 5.根据权利要求3所述的磁畴成像测量装置， 其特征在于， 所述事件相机能够根据 所述 成像光路的光强动态变化输出事 件信息。 6.根据权利要求5所述的磁畴成像测量装置， 其特征在于， 所述底层芯片包括放大电 路、 差分电路和比较电路， 所述成像光路光强动态变化信号由所述底层芯片处理后输出事 件信息。 7.根据权利要求5所述的磁畴成像测量装置， 其特征在于， 所述事件信 息包括磁畴在空 间和时间上的运动路径。 8.根据权利要求1 ‑7任一项所述的磁畴成像测量装置， 其特征在于， 所述事件相机能够 在竖直方向运动并记录所述磁畴运动过程。 9.根据权利要求1 ‑7任一项所述的磁畴成像测量装置， 其特征在于， 所述事件相机采集 所述事件信息的速度为20 0帧/s。 10.根据权利要求1 ‑7任一项所述的磁畴成像测量装置， 其特征在于， 所述磁光克尔显 微镜还包括LED光源、 分光镜、 样品支 架、 电磁铁， 起偏器和检偏器。 11.一种获取磁畴壁图像的方法， 其特 征在于， 包括： 事件相机设于磁光克尔显微镜的目镜上， 并且调整所述事件相机与CMOS相机共焦平 面； 被测磁性样品固定 于所述磁光克尔显微镜的样品支 架上； 施加磁场； 光源发射的光经过起偏器后， 线偏振光照射于所述被测磁性样品表面， 从所述被测样 品表面反射的光经过检偏 器后的光强动态变化由所述事件相机探测， 获得所述被测磁性样 品的磁畴壁图像。 12.根据权利要求11所述的获取磁畴图像的方法， 其特征在于， 所述磁场方向与所述被 测磁性样品表面垂直。 13.根据权利要求11所述的获取磁畴图像的方法， 其特征在于， 还包括所述事件相机执 行以下处 理： 所述事件相机探测到的光强动态变化 转化为电信号； 所述电信号经 过差分电路处 理后， 获得变化 量； 所述变化 量传输于比较电路， 并将所述变化 量与预设的阈值进行比较； 所述变化 量超出预设阈值时， 输出事 件信息。权　利　要　求　书 1/2 页 2 CN 114965292 A 214.根据权利要求13所述的获取磁畴壁图像的方法， 其特征在于， 所述变化量为计算前 一个事件信息开始至现在的变化 量。权　利　要　求　书 2/2 页 3 CN 114965292 A 3