(19)国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202211129187.6 (22)申请日 2022.09.16 (71)申请人 上海申和投资有限公司 地址 201900 上海市宝山区宝山城市工业 园区山连路181号 (72)发明人 贺贤汉　张城　陈有生　赖章田　 (74)专利代理 机构 铜陵市天 成专利事务所(普 通合伙) 3410 5 专利代理师 李坤 (51)Int.Cl. B08B 3/02(2006.01) B08B 3/10(2006.01) B08B 3/14(2006.01) B08B 13/00(2006.01) (54)发明名称 碳化硅晶片单面清洗机和碳化硅晶片的清 洗方法 (57)摘要 本发明涉及碳化硅晶片单面清洗机和碳化 硅晶片的清洗方法， 包括清洗槽、 旋转盘、 布垫、 清洗流体喷射机构， 清洗流体喷射机构包括混合 箱、 倒圆台形过渡管、 喷头。 所述碳化硅晶片单面 清洗机即可通入 单流体进行喷淋清洗， 也可采用 二流体对脱胶清洗后的碳化硅晶片进行单面清 洗， 尤其是对8英寸及其以上的大面积碳化硅晶 片的清洗， 清洗效果好， 清洗效率高。 本发明所述 碳化硅晶片的清洗方法通过对脱胶清洗后的碳 化硅晶片采用所述碳化硅晶片单面清洗机进行 单面清洗， 整个清洗过程， 无需频换更换清洗液 的种类， 只需要采用由氢氟酸、 白钨酸所特制成 的清洗液， 一直进行清洗， 最终即可达到高洁净 度的晶片表面洁净度要求， 清洗 工序简单。 权利要求书2页 说明书8页 附图4页 CN 115463876 A 2022.12.13 CN 115463876 A 1.碳化硅晶片单面清洗机， 包括清洗槽 （10） 、 安装在清洗槽 （10） 内部的旋转盘 （11） 、 设 置在旋转盘 （11） 盘面的布垫 （12） 、 清洗流体喷射机构 （20） ， 其特征在于： 所述清洗流体喷射 机构 （20） 包括混合箱 （21） 、 倒圆台形过渡管 （23） 、 喷头 （22） ， 所述混合箱 （21） 的一侧设置有 进气孔， 所述进气孔外接有进气管 （24） ， 所述混合箱 （21） 的另一侧设置有进 液孔， 所述进 液 孔外接有进液管 （25） ， 所述过渡管 （23） 的上端与 混合箱 （21） 的下端连通， 所述喷头 （22） 的 上端与过渡管 （23） 的下端连通。 2.根据权利要求1所述的碳化硅晶片单面清洗机， 其特征在于： 所述混合箱 （21） 的内侧 壁为单叶双曲面结构， 所述喷头 （22） 包括外壳 （221） ， 所述外壳 （221） 在竖直平面的投影为 等腰梯形， 所述外壳 （221） 在水平面的投影为S形， S形由两段弧形结构构成， 所述弧形结构 对应的圆心角为112~116°； 所述外壳 （221） 的上端设置有S形的进入口 （222） ， 所述外壳 （221） 的下端设置有排出口， 所述排出口包括位于中央的圆形第一通孔 （223） 、 两个第二通 孔 （224） ， 两个第二通孔 （224） 以第一通孔 （223） 为对称中心呈中心对称设置， 所述第二通孔 （224） 的轴线为弧形， 所述第二通孔 （224） 的首端与第一通孔 （223） 连通， 所述第二通孔 （224） 的尾端朝向外壳 （221） 的侧边， 所述第二通孔 （224） 的宽度按照远离第一通孔 （223） 的 方向呈连续增大设置 。 3.根据权利要求1所述的碳化硅晶片单面清洗机， 其特征在于： 所述布垫 （12） 的表面设 置有若干个呈同心圆结构的标记圈。 4.根据权利要求1所述的碳化硅晶片单面清洗机， 其特征在于： 还包括用来带动清洗流 体喷射机构 （20） 远离 旋转盘 （1 1） 的旋转机构 （3 0） ； 当碳化硅晶片放置在布垫 （12） 上方时， 所述旋转机构 （30） 带动清洗流体喷射机构 （20） 转动至布垫 （12） 的正上 方， 所述清洗流体喷射机构 （20） 喷射出清洗液进行清洗作业； 当清洗作业完成后， 所述旋转机构 （30） 带动清洗流体喷射机构 （20） 转动至少90 °使得 清洗流体喷射机构 （20） 远离布垫 （12） ， 取下布垫 （12） 上方清洗完成的碳化硅晶片， 清洗完 成。 5.根据权利要求1所述的碳化硅晶片单面清洗机， 其特征在于： 所述混合箱 （21） 的上下 两端的拐角处设置有圆弧过渡部 （212） 。 6.碳化硅晶片的清洗方法， 其特 征在于， 包括： 对碳化硅晶片使用有机溶剂进行脱胶清洗； 采用如权利要求1~5任一项所述的碳化硅晶片单面清洗机对脱胶清洗后的碳化硅晶片 进行单面清洗； 对单面清洗后的碳 化硅晶片进行DI W清洗、 干燥。 7.根据权利要求6所述的碳化硅晶片的清洗方法， 其特征在于： 所述碳化硅晶片单面清 洗机中清洗流体喷射机构 （20） 通过喷射二流体对脱胶清洗后的碳化硅晶片进 行单面清洗； 二流体由清洗液、 臭氧混合构成， 所述清洗液的压力为0.16MPa， 流量为330L/min； 臭氧的压 力为0.3MPa， 流量为200L/min。 8.根据权利要求7所述的碳化硅晶片的清洗方法， 其特征在于： 所述清洗液为氢氟酸、 白钨酸按照质量比13: （1.1~1.3） 的比例混合制成， 所述氢氟酸是氢氟酸与水按照质量比为 1:99的比例混合制成。 9.根据权利要求6所述的碳化硅晶片的清洗方法， 其特征在于： 所述DIW清洗的试剂为权　利　要　求　书 1/2 页 2 CN 115463876 A 2去离子水， 去离 子水的电阻率 为16～20MΩ•cm。 10.根据权利要求6所述的碳化硅晶片的清洗方法， 其特征在于： 脱胶清洗所用的有机 溶剂为异丙醇。权　利　要　求　书 2/2 页 3 CN 115463876 A 3