(19)国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202211315899.7 (22)申请日 2022.10.26 (71)申请人 赛诺威盛科技 （北京） 股份有限公司 地址 100176 北京市大兴区北京经济技 术 开发区康定街1 1号8幢1层 (72)发明人 任彦　 (74)专利代理 机构 北京知果之信知识产权代理 有限公司 1 1541 专利代理师 苏利 (51)Int.Cl. A61B 6/03(2006.01) A61B 6/00(2006.01) G01N 23/046(2018.01) G06F 16/215(2019.01) G06N 3/08(2006.01) (54)发明名称 CT用硅基探测器模块的组装结构及死区数 据补全方法 (57)摘要 本申请公开了一种CT用硅基探测器模块的 组装结构及死区数据补全 方法， 该CT用硅基探测 器模块的组装结构包括： 硅片， 所述硅片设置为 若干个并堆叠形成探测器模块； 相邻所述硅片在 垂直于X射线的出射方向上 互相错开两倍或两倍 以上死区宽度。 若干个硅片在Z方向堆叠， 并沿X 方向错开两倍 或两倍以上死区宽度， X射线沿Y方 向射入探测器模块中， Z 方向、 X方向和Y方向互相 垂直。 本申请实现了降低因硅片边缘死区数据缺 失而造成的影响， 提高成像质量的技术效果， 进 而解决了相关技术中的硅基探测器由于封装工 艺存在死区， 导致部分数据没有办法获取， 出现 采样不足造成的分辨率下降， 以及产生图像伪影 的问题。 权利要求书1页 说明书5页 附图3页 CN 115486864 A 2022.12.20 CN 115486864 A 1.一种CT用硅基探测器模块的组装结构， 其特征在于， 包括： 硅片， 所述硅片设置为若 干个并堆叠形成探测器模块； 相邻所述硅片在垂直于X射线的出射方向上互相错开两倍或 两倍以上 死区宽度。 2.根据权利要求1所述的CT用硅基探测器模块的组装结构， 其特征在于， 若干个所述硅 片在Z方向堆叠， 并沿X方向错开两倍或两倍以上死区宽度， X射线沿Y方向射入所述探测 器 模块中， 所述Z方向、 所述X 方向和所述Y方向互相垂直。 3.根据权利要求2所述的CT用硅基探测器模块的组装结构， 其特征在于， 若干所述硅片 逐排沿X方向错开两倍或两倍以上 死区宽度。 4.根据权利要求2所述的CT用硅基探测器模块的组装结构， 其特征在于， 沿Z方向堆叠 的若干所述硅片交替的沿X 方向错开两倍或两倍以上 死区宽度。 5.根据权利要求2所述的CT用硅基探测器模块的组装结构， 其特征在于， 沿Z方向堆叠 的若干所述硅片周期性的沿X 方向错开两倍或两倍以上 死区宽度。 6.一种CT用硅基探测器模块的死区数据补全方法， 其特征在于， 将若干个硅片堆叠形 成探测器模块， 并使相邻所述硅片在垂直于X射线的出射方向上互相错开两倍或两倍以上 死区宽度； 在X射线穿过硅片时， 获取 各个硅片上 死区的周围区域的数据； 基于所述周围区域的数据补全死区的数据。 7.根据权利要求6所述的CT用硅基探测器模块的死区数据补全方法， 其特征在于， 所述 周围区域包括 位于各个硅片上与死区最近邻区域和/或次近邻区域的数据。 8.根据权利要求7所述的CT用硅基探测器模块的死区数据补全方法， 其特征在于， 所述 基于所述周围区域的数据补全死区的数据， 具体为： 基于所述周围区域的数据做插值法补 全死区的数据。 9.根据权利要求8所述的CT用硅基探测器模块的死区数据补全方法， 其特征在于， 所述 插值法为线性插值或样条插值或双线性插值或拉普拉斯插值。 10.根据权利要求6所述的CT用硅基探测器模块的死区数据补全方法， 其特征在于， 所 述基于所述周围区域的数据补全死区的数据， 具体为： 基于所述周围区域的数据利用训练 的神经网络模型来补全死区的数据； 所述神经网络模型通过如下步骤进行训练： 准备多个不同形状和材质的模体用于扫描； 第一批扫描， 将探测器模块的位置标记为P0,获取的数据记为D0； 第二批扫描， 将探测器模块在硅片错开的方向上移动与硅片错开宽度相同的距离到达 位置P1， 获取原死区位置的数据D01； 将D01与D0结合， 得到 完整数据D1； 重复上述步骤依次对多个模体进行扫描， 并使用多个模体扫描得到的D0作为输入， D1 作为输出， 训练神经网络模型。权　利　要　求　书 1/1 页 2 CN 115486864 A 2CT用硅基探测器模块的组装结构及死区数据补全方 法 技术领域 [0001]本申请涉及CT设备技术领域， 具体而言， 涉及一种CT用硅基探测器模块的组装结 构及死区数据补全方法。 背景技术 [0002]CT是在医疗和工业中都广泛使用的设备。 用于CT的探测器一般由很多个模块组 成， 模块之间紧密拼接 。 [0003]如果使用硅片作为探测器， 因为工艺限制， 在硅片边缘必须要保留一定宽度的死 区(图1)。 即使硅片间紧密拼接， 在接缝处也会有两个死区宽度的区域(图2)。 照射到死区的 射线， 不会产生有效的数据， 这就造成了一部 分数据的丢失。 如果按常规方法封装成探测器 模块(图3)， 在数据丢失的区域， 会出现采样不足造成的分辨 率下降， 也会有图像伪影出现。 发明内容 [0004]本申请的主要 目的在于提供一种CT用硅基探测器模块的组装结构及死区数据补 全方法， 以解决相关技术中的硅基探测器由于封装工艺存在死区， 导致部分数据没有办法 获取， 出现采样不足造成的分辨 率下降， 以及产生图像伪影的问题。 [0005]为了实现上述目的， 本申请提供了一种CT用硅基探测器模块的组装结构， 该CT用 硅基探测器模块的组装结构包括： 硅片， 所述硅片设置为若干个并堆叠形成探测器模块； 相 邻所述硅片在垂直于X射线的出射方向上互相错 开两倍或两倍以上 死区宽度。 [0006]进一步的， 若干个所述硅片在Z方向堆叠， 并沿X方向错开两倍或两倍以上死区宽 度， X射线沿Y方向射入所述探测器模块中， 所述Z方向、 所述X 方向和所述Y方向互相垂直。 [0007]进一步的， 若干所述硅片逐排沿X 方向错开两倍或两倍以上 死区宽度。 [0008]进一步的， 沿Z方向堆叠的若干所述硅片交替的沿X方向错开两倍或两倍以上死区 宽度。 [0009]进一步的， 沿Z方向堆叠的若干所述硅片周期性的沿X方向错开两倍或两倍以上死 区宽度。 [0010]根据本申请的另一方面， 提供一种CT用硅基光子计数探测器模块的死区数据补全 方法， 该方法包括： [0011]将若干个硅片堆叠形成探测器模块， 并使相邻所述硅片在垂直于X射线的出射方 向上互相错 开两倍或两倍以上 死区宽度； [0012]在X射线穿过硅片时， 获取 各个硅片上 死区的周围区域的数据； [0013]基于所述周围区域的数据补全死区的数据。 [0014]进一步的， 周围区域包括位于各个硅片上与死区最近邻区域和/或次近邻区域的 数据。 [0015]进一步的， 基于所述周围区域的数据补全死区的数据， 具体为： 基于所述周围区域 的数据做插值法补全死区的数据。说　明　书 1/5 页 3 CN 115486864 A 3